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　　利用多年的實例總結了一些經驗拿來和大家分享。有關變流器的核心器件-MOSFET和IGBT。MOSFET和IGBT是當前變流器中應用最廣泛，最重要的兩類核心器件。MOSFET主要應用在低壓和中壓(中小功率)，IGBT主要應用在高壓和中壓(大功率)領域。

　　首先來說MOSFET，提一個基礎性問題，驅動MOSFET導通的最佳柵電壓是多少伏?絕大多數人的回答是：15V。這個答案不能說錯，但是，這活干得太粗。MOSFET的導通電阻是隨柵電壓的提高而下降，當柵電壓達到一定值時，導通電阻就基本不會再降了，暫且稱之為“充分導通”，一般認為這個電壓是低于15V的。

　　實際上，不同耐壓的MOSFET達到充分導通的柵電壓是不同的?；疽?guī)律是：耐壓越高的MOSFET，達到充分導通的柵電壓越低;耐壓越低的MOSFET，達到充分導通的柵電壓越高。我查閱了各種耐壓MOSFET的VGS-RDS曲線，得到的結論是：耐壓200V的MOSFET達到充分導通的柵電壓>16V;耐壓500V的MOSFET達到充分導通的柵電壓>12V;耐壓1000V的MOSFET達到充分導通的柵電壓>8V。因此，建議：耐壓200V及以下的MOSFET柵驅動電壓=17-18V;耐壓500V的MOSFET柵驅動電壓=15V;耐壓1000V的MOSFET柵驅動電壓=12V。

　　說了MOSFET的驅動電壓，再來說說IGBT的驅動電壓，IGBT的驅動電壓為15±1.5V，與IGBT的耐壓無關。驅動電壓低于13.5V，IGBT的飽和壓降會明顯增高;高于16.5V，既沒有必要，還可能帶來不利的影響。

　　某些用IGBT作為主功率器件的變流器，IGBT的輸出直接與外部負載連接，例如驅動電機調速的變頻器，司服系統(tǒng)等等。一旦負載短路，就會造成IGBT極為嚴重的過流，此時IGBT會有多大的電流呢?大約是IGBT額定電流的幾倍到十幾倍，過流的嚴重程度與IGBT的柵驅動電壓相關，即，當IGBT的驅動電壓在14V以下時，其短路電流就較小，約是其額定電流的幾倍;當IGBT的驅動電壓在16V以上時，其短路電流就很大，約是其額定電流的十幾倍，顯然，這么大的短路電流，對IGBT極具破壞性。雖然，IGBT號稱有10微秒的抗短路能力，十幾倍的額定電流也是難于承受的，我的經驗是，最多只能承受一次，第二次就玩完。因此，建議，如果有條件嚴格控制IGBT的驅動電壓的話，此類變流器IGBT的柵電壓為14.5-15.5V為宜。

　　IGBT的主要技術參數之最大額定電流的定義：在一定的殼溫條件下，可以連續(xù)通過集電極的最大電流(直流)。我們必須關注的是：最大額定電流指的是直流，也就是說，不能有開關動作，而且，柵電壓為15V，即IGBT在良好導通的情況下。此時結溫不高于規(guī)格書中的最高值。

　　而實際應用時總是有開關動作的，開關時的瞬時功耗遠遠大于導通時的瞬時功耗，一般正常工作時，導通時的峰值電流應小于其最大額定電流，應該小多少為合理呢?這個問題不能一概而論。這與所選的IGBT的品牌，開關速度，工作頻率，母線電壓，外殼溫度等等多種因素有關。最好向原生產商的技術支持咨詢。

　　我曾經向三菱作過咨詢，采用三菱的IGBT模塊，設計AC380V的通用變頻器，工作頻率6-7KHZ，選擇相應適用的系列型號。變頻器輸出額定電流的峰值應該設計為IGBT最大額定電流的1/2，通用變頻器一般允許最大150%過載，此時IGBT的峰值電流為IGBT最大額定電流的3/4。