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　　對于太陽能逆變器來說，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進(jìn)行控制，并能使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓?fù)浼斑x用合適的IGBT，使太陽能應(yīng)用的功耗降至最低?！　√柲苣孀兤魇且环N功率電子電路，能把太陽能電池板的直流電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓來驅(qū)動(dòng)家用電器、照明及電機(jī)工具等交流負(fù)載。如...

　　高壓IGBT的性能顯著提高?，F(xiàn)今最常用的IGBT技術(shù)是場截止IGBT(FS IGBT)技術(shù)，它結(jié)合了PT(穿通)和NPT(非穿通)IGBT結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)克服了兩者的缺點(diǎn)。FS IGBT在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)提供較低的飽和壓降VCE(sat)，在關(guān)斷時(shí)刻提供較低的開關(guān)損失。但由于傳統(tǒng)的IGBT不含有固有體二極管，所以大多數(shù)開關(guān)應(yīng)用通常將其與額外FRD封裝在一起。本文將介紹飛兆半...

　　在過去30多年中，諸如MOSFET和IGBT之類的CMOS替代產(chǎn)品在大多數(shù)電源設(shè)計(jì)中逐漸取代基于硅的BJT，但是今天，基于碳化硅的新技術(shù)為BJT賦予了新的意義，特別是在高壓應(yīng)用中。　　碳化硅布局以同等或更低的損耗實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，并且在相同形狀因數(shù)的情況下可產(chǎn)生更高的輸出功率。運(yùn)用了SiC BJT的設(shè)計(jì)也將使用一個(gè)更小的電感，并且使成本顯著降低。雖然運(yùn)用碳化硅工...

      高壓IGBT的性能顯著提高?，F(xiàn)今最常用的IGBT技術(shù)是場截止IGBT(FS IGBT)技術(shù)，它結(jié)合了PT(穿通)和NPT(非穿通)IGBT結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)克服了兩者的缺點(diǎn)。FS IGBT在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)提供較低的飽和壓降VCE(sat)，在關(guān)斷時(shí)刻提供較低的開關(guān)損失。但由于傳統(tǒng)的IGBT不含有固有體二極管...

　　IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計(jì)應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開關(guān)速度和軟度要求是推動(dòng)這些不同型號器件優(yōu)化的主要?jiǎng)恿?。這些型號包括具備快速開關(guān)特性的T4芯片、具備軟開關(guān)特性的P4芯片和開關(guān)速度介于T4和P4之間的E4芯片?！　”?簡單介紹了IGBT的3個(gè)折衷點(diǎn)，并對相應(yīng)的電流范圍給出了...