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- 202104-23高效IGBT4逆變器設(shè)計(jì)中雜散電感對(duì)其的影響IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此,英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計(jì)應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開關(guān)速度和軟度要求是推動(dòng)這些不同型號(hào)器件優(yōu)化的主要?jiǎng)恿?。這些型號(hào)包括具備快速開關(guān)特性的T4芯片、具備軟開關(guān)特性的P4芯片和開關(guān)速度介于T4和P4之間的E4芯片。 表1簡單介紹了IGBT的3個(gè)折衷點(diǎn),并對(duì)相應(yīng)的電流范圍給出了...
- 202104-23IGBT使用和設(shè)計(jì)新方法IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù),將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡單、低飽和電壓及大電流等特性,被作為功率器件廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子系統(tǒng)等領(lǐng)域(例如:伺服電機(jī)的調(diào)速、變頻電源)。為使我們?cè)O(shè)計(jì)的系統(tǒng)能夠更安全、更可靠的工作,...
- 202104-23大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護(hù)方案1引言 隨著電力電子器件制造技術(shù)的發(fā)展,高性能、大容量的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)因其具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)損耗低及工作頻率高等特點(diǎn),而越來越多地應(yīng)用到工作頻率為幾十kHz以下,輸出功率從幾kW到幾百kW的各類電力變換裝置中。IGBT逆變器中最重要的環(huán)節(jié)就是高性能的過流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。專用驅(qū)動(dòng)模塊都帶有過流保護(hù)功能。一些分立的驅(qū)動(dòng)電路也帶...
- 202104-23基于過流、過壓、過熱IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件,具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn),因而廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差,一旦出現(xiàn)意外就會(huì)使它損壞。為此,必須但對(duì)IGBT進(jìn)行相關(guān)保護(hù)。 過流保護(hù) 生產(chǎn)廠家對(duì)IGBT提供的安全工作區(qū)有嚴(yán)格的限制條件,且IGBT承受過電流的時(shí)間僅為幾...
- 202104-23試論如何保護(hù)驅(qū)動(dòng)器與可再生能源系統(tǒng)中的IGBTIGBT目前被廣泛應(yīng)用在馬達(dá)或可再生能源系統(tǒng)中的電源轉(zhuǎn)換器上,雖然有多種不同技術(shù)可以用于IGBT驅(qū)動(dòng),但柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器由于提供了電氣隔離與共模抑制能力,因此成為最佳成本效益的選擇。為了強(qiáng)化這類高電壓且快速切換應(yīng)用的可靠度與安全性,整合型柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器與隔離放大器可以使IGBT的保護(hù)更精簡、成本更低并且更加容易實(shí)現(xiàn)。 電源轉(zhuǎn)換電路經(jīng)常被應(yīng)用在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或可再生...