- 202104-23IGBT使用和設計新方法IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù),將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、低飽和電壓及大電流等特性,被作為功率器件廣泛應用于工業(yè)控制、電力電子系統(tǒng)等領(lǐng)域(例如:伺服電機的調(diào)速、變頻電源)。為使我們設計的系統(tǒng)能夠更安全、更可靠的工作,...
- 202104-23大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護方案1引言 隨著電力電子器件制造技術(shù)的發(fā)展,高性能、大容量的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)因其具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)損耗低及工作頻率高等特點,而越來越多地應用到工作頻率為幾十kHz以下,輸出功率從幾kW到幾百kW的各類電力變換裝置中。IGBT逆變器中最重要的環(huán)節(jié)就是高性能的過流保護電路的設計。專用驅(qū)動模塊都帶有過流保護功能。一些分立的驅(qū)動電路也帶...
- 202104-23基于過流、過壓、過熱IGBT保護電路設計IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件,具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點,因而廣泛應用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差,一旦出現(xiàn)意外就會使它損壞。為此,必須但對IGBT進行相關(guān)保護?! ∵^流保護 生產(chǎn)廠家對IGBT提供的安全工作區(qū)有嚴格的限制條件,且IGBT承受過電流的時間僅為幾...
- 202104-23試論如何保護驅(qū)動器與可再生能源系統(tǒng)中的IGBTIGBT目前被廣泛應用在馬達或可再生能源系統(tǒng)中的電源轉(zhuǎn)換器上,雖然有多種不同技術(shù)可以用于IGBT驅(qū)動,但柵極驅(qū)動光耦合器由于提供了電氣隔離與共模抑制能力,因此成為最佳成本效益的選擇。為了強化這類高電壓且快速切換應用的可靠度與安全性,整合型柵極驅(qū)動光耦合器與隔離放大器可以使IGBT的保護更精簡、成本更低并且更加容易實現(xiàn)?! ‰娫崔D(zhuǎn)換電路經(jīng)常被應用在馬達驅(qū)動器或可再生...
- 202104-23簡述IGBT模塊動態(tài)特性IGBT 在開通過程中,大部分時間是作為MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓Uds 下降過程后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間, tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。 IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其...